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LEled灯珠分类D芯片常遇到的6大问题

统佳光电

正向电压降低、暗光

(1)一种是电极与发光质料为欧姆接触,但接触电阻年夜,重要由质料衬底低浓度或者电极缺损而至。

(2)一种是电极与质料为非欧姆接触,重要发生在芯片电极制备历程中蒸发第一层电极时的挤压印或者夹印,漫衍位置。

别的封装历程中也可能造成正向压降低,重要缘故原由有银胶固化不充实,支架或者芯片电极沾污等造成接触电阻年夜或者接触电阻不不变。

正向压降低的芯片在固定电压测试时,经由过程芯片的电流小,从而体现暗点,另有一种暗光征象是芯片自己发光效率低,正向压降正常。

难压焊

(1)打不粘:重要由于电极外貌氧化或者有胶

(2)有与发光质料接触不牢以及加厚焊线层不牢,此中以加厚层脱落为主。

(3)打穿电极:凡是与芯片质料有关,质料脆且强度不高的质料易打穿电极,一般GAALAS质料(如高红,红外芯片)较GAP质料易打穿电极。

(4)压焊调试应从焊接温度,超声波功率,超声时间,压力,金球巨细,支架定位等举行调解。

发光颜色差异

(1)统一张芯片发光颜色有较着差异重要是由于外延片质料问题,ALGAINP四元素质料接纳量子布局很薄,生长是很难包管各区域组分一致。(组分决议禁带宽度,禁带宽度决议波长)。

(2)GAP黄绿芯片,发光波长不会有很年夜误差,可是因为人眼对于这个波段颜色敏感,很轻易查出偏黄,偏绿。因为波长是外延片质料决议的,区域越小,呈现颜色误差观点越小,故在M/T功课中有相近拔取法。

(3)GAP红色芯片有的发光颜色是偏橙黄色,这是因为其发光机理为间接跃进。受杂质浓度影响,电流密度加年夜时,易孕育发生杂质能级偏移以及发光饱以及,发光是最先变为橙黄色。

闸流体效应

(1)是发光二极管在正常电压下没法导通,当电压加高到必然水平,电流孕育发生突变。

(2)孕育发生闸流表现象缘故原由是发光质料外延片生永劫呈现了反向夹层,有此征象的LED在IF=20MA时测试的正向压降有隐蔽性,在使用历程是出于南北极电压不敷年夜,体现为不亮,可用测试信息仪器从晶体管图示仪测试曲线,也能够经由过程小电流IF=10UA下的正向压降来发明,小电流下的正向压降较着偏年夜,则多是该问题而至。

反向泄电流IR

在限制前提下反向泄电流为二极管的基本特征,按LED之前的通例划定,指反向电压在5V时的反向泄电流。跟着发光二极管机能的提高,反向泄电流会愈来愈小。IR越小越好,孕育发生缘故原由为电子的不法则挪动。

(1)芯片自己品诘责题缘故原由,可能晶片自己切割异样所致使。

(2)银胶点的太多,严峻时会致使短路。外延酿成的反向泄电重要由PN结内部布局缺陷而至,芯片建造历程中侧面腐化不敷或者有银胶丝沾附在测面,严禁用有机溶液调配银胶。以避免银胶经由过程毛细征象爬到结区。

(3)静电击伤。外延质料,芯片建造,器件封装,测试一般5V下反向泄电流为10UA,也能够固定反向电流下测试反向电压。差别类型的LED反向特征相差年夜:普绿,普黄芯片反向击穿可到达一百多伏,而普红芯片则在十几二十伏之间。

(4)焊线压力节制不妥,造成晶片内崩致使IR升高。

解决方案:

(1)银胶胶量需节制在晶片高度的1/3~1/2;

(2)人体及机台静电量需节制在50V如下;

(3)焊线第一点的压力应节制在30~45g之间为佳。

逝世灯征象

(1)LEDled灯珠最小直径的泄电流过年夜造成PN结掉效,使LED灯点不亮,这类环境一般不会影响其他的LED灯的事情。

(2)LED灯的内部毗连引线断开,造成LED无电畅通过而孕育发生逝世灯,这类环境会影响其他的LED灯的正常事情,缘故原由是因为LED灯事情电压低(红黄橙LED事情电压1.8v-2.2led灯珠照明v,蓝绿白LED事情电压2.8-3.2v),一般都要用串、并联来联接,来顺应差别的事情电压,串联的LED灯越多影响越年夜,只要此中有一个LED灯内部连线开路,将造成该串联电路的整串LED灯不亮,可见这类环境比第一种环境要严峻的多。


标签:LEDLED芯片

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