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南京大学王致远:用于DUV和EUV探测的高led灯珠的

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11月25-27日,由深圳市龙华区科技立异局出格撑持,国度半导体照明工程研发及财产同盟(CSA)、第三代半导体财产技能立异战略同盟(CASA)主理,深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新质料出产力促成中央有限公司配合承办的第十六届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2019)暨2019国际第三代半导体论坛(IFWS 2019)在深圳会展中央召开。

11月27日上午,“固态紫外器件技能”分会准期召开。本届分会山西中科潞安紫外光电科技有限公司、中微半导体装备(上海)株式会社协办。

第三代半导体质料在紫外器件中具有其他半导体质料难以相比的上风,揭示出伟大的运用潜力。分会重点存眷以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光质料,以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测质料,高效量子布局设计及外延,和发光二极管、激光器、光电探测器等焦点器件的要害制备技能。

挪威科学技能年夜学传授、挪威科学技能院院士Helge WEMAN,南京年夜学传授陆海,台湾交通年夜学特聘传授郭浩中,中微半导体装备(上海)株式会社主任工艺工程师胡建正,上海年夜学传授、Ultratrend Technologies Inc总裁吴亮,河北工业年夜学传授张紫辉,中国科学院半导体研究所倪茹雪,郑州年夜学Muha妹妹ad Nawaz SHARIF,厦门年夜学高娜,南京年夜学王致远等国际知名与专家到场本次集会,力求出现紫外发光以及探测范畴在质料、器件、封装及运用等各层面的海内外最新进展。

厦门年夜学传授康俊勇、中科院半导体所研究员、半导体照明研发中央主任王军喜配合主持了本次分会。

王致远

深紫外(DUV)以及极深紫外(EUV)探测器在光刻、天文监测和国防预警等诸多范畴具备很是广漠的运用远景。在合用于DUV以及EUV探测的所有宽禁带半导体质料中,碳化硅(SiC) 因其可见光盲、泄电流低以及抗辐射机能好等优质特征能而遭到了广泛的存眷。此外,因为EUV光在半导体质料中的穿透深度很是浅,是以具备外貌结的SiC肖特基势垒光电二极管在该波段相较于其他布局的器件具备更高的量子效率(QE)。

南京年夜学王致远做了题为“用于DUV以及EUV探测的高机能SiC肖特基势垒光电二极管”的主题陈诉,联合详细的试验研究,制备了一种年夜尺寸、低泄电的Ni/SiC肖特基二极管,并对于其在DUV以及EUV波段的光电探测机能举行了表征阐发。

试验经由过程物理气相沉积的要领,在颠末非凡处置惩罚的SiC外貌淀积半透明金属电极(5nm Ni)从而形成肖特基接触,继而经由非凡设计的撤退退却火工艺,制备了具备极低泄电流(3pA@-40V)、高敏捷度以及低噪声特征的2.5妹妹×2.5妹妹的探测器。优化的退火工艺可以提高肖特基势垒高度、降低暗电流,从而使患上器件具备极高的信噪比,合用于微弱旌旗灯号的探测。同时,为了进一步晋升探测效率,研究对于器件有源区的电极布局进了优化设计,从而进一步晋升器件的量子led灯珠线效率。

该探测器在DUV以及EUV波段均揭示出了优胜的光电探测机能。试验证实,跟着反向偏压的增年夜,器件接收光子的有用区域展宽,器件有源区的漂东部led灯珠移电场增年夜,是以,梳齿状电极布局的优化设计有助于晋升器件的量子效率。

(内容按照现场资料收拾整顿,若有收支敬请体谅)

来历:中国半导体照明网


标签:半导体照明

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